Questão número 520004
Engenharia Elétrica - Microeletrônica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Em um transistor PMOS de efeito de campo de um processo CMOS padrão,
- A. a região do dreno deve ser mais dopada que a da fonte.
- B. a região da fonte deve ser mais dopada que a do dreno.
- C. dreno e fonte devem ser fortemente dopados com fósforo.
- D. dreno e fonte são alinhados pela respectiva porta, não necessitando de máscara litográfica específica.
- E. a mobilidade dos portadores de carga no canal é maior que a dos portadores no canal de um NMOS com as mesmas dimensões.
O Provas e Concursos é um banco de dados de questões de concursos públicos organizadas por matéria, assunto, ano, banca organizadora, etc
