Questão número 540701
Engenharia Mecatrônica - Geral - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
O modelo de Ebers-Moll pode ser utilizado para modelar o comportamento de transistores bipolares. Supondo os seguintes parâmetros: IB, IC, IE são as correntes de base, coletor e emissor, respectivamente; ICD e IED são as correntes dos diodos de coletor e emissor, respectivamente; αF, αR são os ganhos de corrente em base comum direto e reverso respectivamente, o modelo de Ebers-Moll para um transistor NPN é:
- A.
- B.
- C.
- D.
- E.
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