Questão número 565717
Engenharia Elétrica - Teoria de Controle - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
A incorporação de oxigênio (O2) residual ao filme fino pode causar
- A. aumento da resistividade do filme.
- B. indução à formação de hillocks.
- C. tensões.
- D. inibição à formação de hillocks.
- E. aumento da condutividade.
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