Questões de Física do ano 2008

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

Apesar de haver uma inclinação nas bandas de energia da junção p-n muito parecida com a inclinação de banda de um diodo polarizado diretamente, os portadores de carga fluem na direção oposta quando a junção é iluminada.

• C. Certo
• E. Errado

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

Uma célula solar consiste basicamente de uma junção p-n rasa com contatos ôhmicos finos na superfície. Esses contatos servem para a coleta dos portadores de carga, contudo, eles fornecem uma resistência em série grande, o que, muitas vezes, acarreta diminuição da eficiência da célula.

• C. Certo
• E. Errado

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

Ao se examinar a curva corrente-voltagem de uma célula solar, percebe-se que o fator de preenchimento está relacionado diretamente ao valor da resistência em série devida aos contatos ôhmicos finos na superfície da célula. O fator de preenchimento aumenta quando a resistência em série aumenta.

• C. Certo
• E. Errado

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

No caso de uma célula solar de junção p-n, é esperado que a corrente de saturação reversa cresça à medida que a célula é iluminada. Isso acontece porque a aplicação de uma polarização reversa diminui a altura da barreira de energia na interface da junção, de modo a facilitar a passagem de corrente.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

O processo de crescimento cristalino por epitaxia por feixe molecular consiste da adsorção dos átomos constituintes, da sua dissociação e migração na superfície e, finalmente, da sua incorporação, resultando no crescimento.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

As temperaturas dos substratos durante o crescimento por epitaxia por feixe molecular devem ser mantidas abaixo da temperatura de evaporação congruente do composto que se deseja crescer.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

O fato de ânions e cátions possuírem diferentes dinâmicas de adsorção sobre o mesmo substrato é devido à temperatura do mesmo.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

São exemplos de processos de deposição por vapor físico: sublimação, epitaxia por feixe molecular, sputtering e epitaxia por fase vapor.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

A adsorção física é caracterizada por um estado precursor fracamente ligado e móvel.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

A adsorção química é realizada por meio de interações de Van der Waals e não forma ligação química.

• C. Certo
• E. Errado