Questão número 531645

As afirmativas abaixo são verdadeiras, EXCETO:

• A. Em MOSFETs a presença de íons de sódio no óxido compromete o desempenho do dispositivo, devido a sua alta mobilidade iônica.
• B. A camada de óxido de porta de MOSFETs é preferencialmente fabricada por oxidação em vapor de água.
• C. A taxa de crescimento do óxido de silício em oxidação úmida é muito mais alta que a oxidação seca.
• D. Altas taxas de crescimento de óxido resultam em maior número de estados localizados na interface Si-SiO₂.
• E. A presença de cloro na atmosfera oxidante reduz a incorporação de sódio no óxido.