Questões de Física do ano 2012

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Considere as afirmativas abaixo: I – formação de imagem a partir de elétrons secundários e retro-espalhados decorrentes da interação de um feixe de elétrons com uma amostra. II – análise dos raios-X resultantes da relaxação dos átomos excitados pela interação entre o feixe primário de elétrons e a amostra. III – análise dos raios-X secundários característicos originados da incidência de um feixe de raios-X primário sobre uma amostra segundo um ângulo inferior ao ângulo crítico. IV – análise da energia cinética e da quantidade de elétrons oriundos de uma amostra submetida a um feixe de raios-X incidente. Assinale a alternativa que relaciona corretamente as afirmativas acima com as técnicas de análise a que se referem.

  • A. I – Espectroscopia de raios-X por dispersão de energia; II – Microscopia eletrônica de varredura; III – Fluorescência de raios-X por reflexão total; IV – Espectroscopia de fotoelétrons por raios-X.
  • B. I – Microscopia eletrônica de varredura; II – Espectroscopia de raios-X por dispersão de energia; III- Fluorescência de raios-X por reflexão total; IV – Espectroscopia de fotoelétrons por raios-X.
  • C. I – Fluorescência de raios-X por reflexão total; II – Espectroscopia de fotoelétrons por raios-X; III – Microscopia eletrônica de varredura; IV – Espectroscopia de raios-X por dispersão de energia.
  • D. I – Fluorescência de raios-X por reflexão total; II – Microscopia eletrônica de varredura; III – Espectroscopia de raios-X por dispersão de energia; IV – Espectroscopia de fotoelétrons por raios-X.
  • E. I – Microscopia eletrônica de varredura; II – Espectroscopia de fotoelétrons por raios-X; III – Espectroscopia de raios- X por dispersão de energia; IV- Fluorescência de raios-X por reflexão total.

A elipsometria espectral pode ser utilizada para análise de oxidação e corrosão em semicondutores. Assinale a alternativa que descreve o princípio dessa técnica de análise.

  • A. O espectro de emissão de fótons característicos de átomos ionizados é uma elipse característica de cada elemento ou substância.
  • B. Os elétrons arrancados da superfície de uma amostra descrevem uma trajetória elíptica característica.
  • C. Baseia-se a técnica na mudança de polarização da luz após a reflexão.
  • D. Baseia-se a técnica na análise de elétrons Auger por um analisador elíptico.
  • E. Baseia-se na absorção diferenciada da radiação polarizada em função da razão entre os eixos maior e menor de uma elipse.

A incidência de um feixe de elétrons sobre uma amostra ocasiona interações elásticas e inelásticas. As afirmativas a seguir referem-se a esses tipos de interações. I – Afetam a trajetória dos elétrons, sem alterar suas velocidades. II – Originam os elétrons retro-espalhados. III – São consequências das interações entre os elétrons da amostra e os do feixe incidente. A(s) afirmativa(s) que se refere(m) às interações elásticas é (são)

  • A. I.
  • B. II.
  • C. III.
  • D. I e II.
  • E. II e III.

A técnica que pode ser aplicada para a análise de materiais isolantes, pois não utiliza corrente de tunelamento, no modo contato, não contato ou no modo contato intermitente, é

  • A. microscopia de força atômica.
  • B. espectrometria de infravermelho por transformada de Fourrier.
  • C. microscopia eletrônica de varredura.
  • D. elipsometria espectral.
  • E. imageamento com feixe de íons focalizados.

Exige o recobrimento de amostras não condutoras com uma camada de material condutivo. A metalização das amostras pode contribuir para melhorar o contraste. A técnica cuja preparação da amostra possui as características acima é

  • A. elipsometria Espectral.
  • B. fluorescência de raios-X por reflexão total.
  • C. espetroscopia de infravermelho por transformada de Fourrier.
  • D. microscopia eletrônica de varredura.
  • E. imageamento por emissão focalizada de íons.

Considere os seguintes componentes de um equipamento de análises: canhão de elétrons, lentes magnéticas, câmara de vácuo e detectores. O equipamento que, em linhas gerais, possui todos os componentes acima é

  • A. microscópio de força atômica.
  • B. microscópio eletrônico de varredura.
  • C. equipamentos para análise de fluorescência de raio-X.
  • D. equipamento para análise de infravermelho por transformada de Fourier.
  • E. elipsômetro espectral.

Abaixo são citadas desvantagens de um dos tipos de fonte de elétrons utilizada em um microscópio eletrônico de varredura: 1 – Evaporação do catodo. 2 – Baixo brilho. A fonte a que se refere as desvantagens mencionadas é a fonte

  • A. termoiônica.
  • B. de emissão por campo térmica.
  • C. de emissão por campo fria.
  • D. de emissão por campo (Schottky).
  • E. termoiônica ou de emissão de campo.

Com base nas afirmativas abaixo, assinale a alternativa que apresenta as características de um fônon I – Ondas elásticas que se propagam pela rede cristalina. II – Propagam-se com velocidade igual à velocidade do som no meio de propagação. III – Propagam-se com velocidade igual à velocidade da luz no vácuo.

  • A. I.
  • B. II.
  • C. III.
  • D. I e II.
  • E. II e III.

Dentre as técnicas de análise abaixo, assinale aquela que pode ser utilizada com pouco ou nenhum vácuo.

  • A. Espectroscopia de elétrons Auger.
  • B. Microscopia eletrônica de varredura com fonte termoiônica.
  • C. Espectrometria de massa por íons secundários.
  • D. Microscopia eletrônica de varredura com canhão de emissão de campo.
  • E. Microscopia de força atômica.

Leia atentamente as alternativas abaixo: I – A espectroscopia de elétrons Auger não possibilita a detecção dos elementos hidrogênio e hélio. II – A espectrometria de fotoelétrons por raios-X é uma técnica de superfície altamente específica devido ao curto alcance dos elétrons excitados do sólido. Além da análise dos elementos presentes, pode fornecer informações sobre as ligações químicas. III – A fluorescência de raios-X por reflexão total é uma técnica muito sensível capaz de detectar materiais em concentrações baixíssimas. Assinale a alternativa que contém afirmativas verdadeiras.

  • A. Somente I.
  • B. Somente II.
  • C. Somente III.
  • D. Somente III e II.
  • E. I, II e III.
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