Questões sobre Geral

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Qual processo de fabricação de Multi-chip-module (MCM) resulta na maior densidade de interconexões e menor dimensão mínima?

  • A. MCM Atrativo (Atractive).
  • B. MCM Cerâmico (Cofired Ceramic).
  • C. MCM Semicondutor (Semiconductor).
  • D. MCM Filme Fino (Thin Film).
  • E. MCM Orgânico (Laminated Organic).

Um processo de produção subtrativo apresenta um fator de qualidade que mede a seletividade do processo. Este fator é denominado

  • A. fator de correção (Correction Factor).
  • B. fator de planarização (Planarization Factor).
  • C. fator de potência (Power Factor).
  • D. fator de atraso (Delay Factor).
  • E. fator de corrosão (Etch Factor).

Um condutor fabricado por um processo subtrativo irá apresentar uma seção transversal com qual formato?

  • A. Retangular.
  • B. Elíptico.
  • C. Circular.
  • D. Trapezoidal.
  • E. Octagonal.

A quebra de um fio metálico devido à repetição da dobra e retificação de um local específico, se deve a uma falha de que tipo?

  • A. Fratura.
  • B. Fadiga.
  • C. Fluência.
  • D. Cansaço.
  • E. Corrosão.

Um empacotamento de multi-chip-module (MCM) é composto por 4 dies idênticos fabricados com um processo que possui um rendimento de 90%. Qual é o rendimento estimado para a montagem MCM?

  • A. 90%.
  • B. 85%.
  • C. 75%.
  • D. 65%.
  • E. 50%.

A montagem de capacitores eletrolíticos é feita por qual técnica?

  • A. Flip-chip.
  • B. Solda de fios (wire-bonding).
  • C. Através de buraco (Through-hole).
  • D. Montagem de matriz de bolas (Ball Grid Array).
  • E. Solda de bolas (Ball-bonding).

A crescente integração de componentes nos circuitos integrados exige que as estruturas sejam cada vez mais reduzidas. A respeito da tecnologia para litografia usando fótons de 13,5 nm pode-se afirmar que

  • A. as máscaras fotolitográficas para essa tecnologia tem de ser necessariamente de quartzo.
  • B. o processo tem de ocorrer em atmosfera inerte.
  • C. a óptica de projeção usada nesse processo é baseada em materiais de gap largo, como o fluoreto de lítio.
  • D. a fonte de luz adequada é lâmpada de Xe de alta pressão.
  • E. a resolução é limitada mais pela geração de fotoelétrons e elétrons secundários no resiste, que pelo limite de difração.

Vácuo é essencial em muitas etapas da fabricação de um circuito integrado. Com relação às tecnologias de vácuo empregadas nos diversos processos de microfabricação NÃO é correto afirmar que

  • A. a redução de pressão procura garantir transporte de massa sem espalhamento na deposição de filmes finos por evaporação térmica.
  • B. nos processos a plasma a pureza química desse depende do pré-vácuo efetuado na câmara de processo.
  • C. a composição do gás residual em um sistema de vácuo depende do tipo de bombas utilizadas.
  • D. bombas iônicas são muito eficientes ao bombear gases inertes.
  • E. bombas difusoras a óleo e bombas turbo-moleculares se baseiam no mesmo princípio para reduzir a pressão em uma câmara.

A corrosão por plasma é um dos processos subtrativos utilizados em microfabricação. Aponte, dentre as alternativas abaixo, a que NÃO é correta.

  • A. A corrosão por plasma permite que espaços sub-micrométricos possam ser atacados, os quais não seriam atingidos por via úmida devido à tensão superficial das soluções de ataque.
  • B. A corrosão por plasma permite um melhor controle do processo que a corrosão úmida, pois pode ser iniciada e encerrada com mais facilidade.
  • C. A pulverização catódica (sputtering) é um mecanismo físico de erosão sempre presente na corrosão por plasma, independente da pressão e dos tipos de gases presentes no plasma.
  • D. A corrosão por plasma de íons reativos (RIE) é altamente seletiva e anisotrópica.
  • E. Defeitos são criados na superfície do substrato para energias dos íons do plasma tão baixas quanto 4 eV.

  • A. Apenas a ligação Si-F é maior que a ligação Si-O, portanto apenas SF6, dentre os gases disponíveis, corroerá silício.
  • B. SF6 é gás mais adequado para a corrosão de alumínio.
  • C. A corrosão de alumínio por Cl2 não ocorre pois o produto da reação não se volatiliza no processo.
  • D. O óxido nativo do alumínio não permite que HBr seja usado como gás corrosivo para esse metal.
  • E. Cl2 é usado em RIE de silício, pois o óxido é removido pelo bombardeio dos íons, e o produto da reação é volátil.
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