Questões de Engenharia Física

Qual processo de fabricação de Multi-chip-module (MCM) resulta na maior densidade de interconexões e menor dimensão mínima?

• A. MCM Atrativo (Atractive).
• B. MCM Cerâmico (Cofired Ceramic).
• C. MCM Semicondutor (Semiconductor).
• D. MCM Filme Fino (Thin Film).
• E. MCM Orgânico (Laminated Organic).

Um processo de produção subtrativo apresenta um fator de qualidade que mede a seletividade do processo. Este fator é denominado

• A. fator de correção (Correction Factor).
• B. fator de planarização (Planarization Factor).
• C. fator de potência (Power Factor).
• D. fator de atraso (Delay Factor).
• E. fator de corrosão (Etch Factor).

Um condutor fabricado por um processo subtrativo irá apresentar uma seção transversal com qual formato?

• A. Retangular.
• B. Elíptico.
• C. Circular.
• D. Trapezoidal.
• E. Octagonal.

A quebra de um fio metálico devido à repetição da dobra e retificação de um local específico, se deve a uma falha de que tipo?

• A. Fratura.
• B. Fadiga.
• C. Fluência.
• D. Cansaço.
• E. Corrosão.

Um empacotamento de multi-chip-module (MCM) é composto por 4 dies idênticos fabricados com um processo que possui um rendimento de 90%. Qual é o rendimento estimado para a montagem MCM?

• A. 90%.
• B. 85%.
• C. 75%.
• D. 65%.
• E. 50%.

A montagem de capacitores eletrolíticos é feita por qual técnica?

• A. Flip-chip.
• B. Solda de fios (wire-bonding).
• C. Através de buraco (Through-hole).
• D. Montagem de matriz de bolas (Ball Grid Array).
• E. Solda de bolas (Ball-bonding).

A crescente integração de componentes nos circuitos integrados exige que as estruturas sejam cada vez mais reduzidas. A respeito da tecnologia para litografia usando fótons de 13,5 nm pode-se afirmar que

• A. as máscaras fotolitográficas para essa tecnologia tem de ser necessariamente de quartzo.
• B. o processo tem de ocorrer em atmosfera inerte.
• C. a óptica de projeção usada nesse processo é baseada em materiais de gap largo, como o fluoreto de lítio.
• D. a fonte de luz adequada é lâmpada de Xe de alta pressão.
• E. a resolução é limitada mais pela geração de fotoelétrons e elétrons secundários no resiste, que pelo limite de difração.

Vácuo é essencial em muitas etapas da fabricação de um circuito integrado. Com relação às tecnologias de vácuo empregadas nos diversos processos de microfabricação NÃO é correto afirmar que

• A. a redução de pressão procura garantir transporte de massa sem espalhamento na deposição de filmes finos por evaporação térmica.
• B. nos processos a plasma a pureza química desse depende do pré-vácuo efetuado na câmara de processo.
• C. a composição do gás residual em um sistema de vácuo depende do tipo de bombas utilizadas.
• D. bombas iônicas são muito eficientes ao bombear gases inertes.
• E. bombas difusoras a óleo e bombas turbo-moleculares se baseiam no mesmo princípio para reduzir a pressão em uma câmara.

A corrosão por plasma é um dos processos subtrativos utilizados em microfabricação. Aponte, dentre as alternativas abaixo, a que NÃO é correta.

• A. A corrosão por plasma permite que espaços sub-micrométricos possam ser atacados, os quais não seriam atingidos por via úmida devido à tensão superficial das soluções de ataque.
• B. A corrosão por plasma permite um melhor controle do processo que a corrosão úmida, pois pode ser iniciada e encerrada com mais facilidade.
• C. A pulverização catódica (sputtering) é um mecanismo físico de erosão sempre presente na corrosão por plasma, independente da pressão e dos tipos de gases presentes no plasma.
• D. A corrosão por plasma de íons reativos (RIE) é altamente seletiva e anisotrópica.
• E. Defeitos são criados na superfície do substrato para energias dos íons do plasma tão baixas quanto 4 eV.

• A. Apenas a ligação Si-F é maior que a ligação Si-O, portanto apenas SF6, dentre os gases disponíveis, corroerá silício.
• B. SF6 é gás mais adequado para a corrosão de alumínio.
• C. A corrosão de alumínio por Cl2 não ocorre pois o produto da reação não se volatiliza no processo.
• D. O óxido nativo do alumínio não permite que HBr seja usado como gás corrosivo para esse metal.
• E. Cl2 é usado em RIE de silício, pois o óxido é removido pelo bombardeio dos íons, e o produto da reação é volátil.